Komponenten | 07 November 2006

Infineon entwickelt Testchip zur Vermeidung von VIA-Defekten

Infineon will mit einem neuen Verfahren eine der häufigsten Defektursachen bei der Herstellung von hochintegrierten Halbleiterschaltungen vermeiden: der elektrische Ausfall von VIA-(Vertical-Interconnect-) Kontakten.
VIAs stellen die Verbindung der Metallleitungen zwischen den Ebenen in einer integrierten Schaltung her und weisen kleinste geometrische Abmessungen auf. Ein VIA in einer 0,13µm-Technologie beispielsweise hat einen Durchmesser von 200 Nanometern. Der Chip eines modernen Mikrocontrollers bringt auf etwa einem halben Quadratzentimeter weit über 10 Mio. VIAs unter. Die Qualität eines VIAs kann während des Prozesses optisch und auch elektronisch nicht kontrolliert werden.
Mit einem Testchip will Infineon potentielle VIA-Ausfälle mit hoher Wahrscheinlichkeit zuverlässig entdecken. Die Befunde zeigten deutlich, wo in der Produktionskette die korrespondierenden Fehlerquellen seien. Diese könnten so ausgeschaltet bzw. vermieden werden. Dadurch lasse sich die VIA-Defektdichte um etwa den Faktor 10 reduzieren.
Momentan setzt Infineon die Technologie bei der Herstellung von Bausteinen in der 0,5µm- und 130-Nanometer Technologie ein, so zum Beispiel bei der Fertigung von AUDO NG Mikrocontrollern in 130-Nanometer embedded-Flash-Technologie. Infineon geht allerdings davon aus, dass sich das Testkonzept auch auf modernste Prozesstechniken wie 90 oder 65 Nanometer übertragen lässt.
Das neue Verfahren hat Infineon zusammen mit der Fachhochschule Regensburg im Rahmen seines vor rund drei Jahren gestarteten Qualitätsmanagement-Programms Automotive Excellence Programm entwickelt, mit dem die hohen Qualitätsanforderungen im Automobilbereich erfüllt werden sollen.

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