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Elektronikproduktion | 09 Februar 2011

SemiSouth bestellt Aixtron SiC Planetary Reactor

Aixtron Kunde SemiSouth Laboratories of Starkville in MS, USA erhält eine neue Siliziumkarbid (SiC) CVD-Anlage, eine AIX 2800G4 WW mit einer Waferkapazität von 10x100 sowie 6x150 mm.
SemiSouth wird damit SiC-Hochleistungskomponenten wie JFETs und Schottky-Barrieren für die Mikroelektronik herstellen.

Das Unternehmen platzierte die Bestellung im vierten Quartal 2010. Nach der Auslieferung im zweiten Quartal 2011 wird ein Service Team von Aixtron die Anlage im modernen Reinraum am Hauptsitz von SemiSouth in Starkville in Betrieb nehmen.

„Nach fast sieben Jahren Praxiserfahrung mit SiC-Anlagen von Aixtron kennen wir die Technologie bis ins Detail. Wir müssen unsere Kapazitäten für Hochleistungsbauelemente steigern und haben dringenden Bedarf, auf Substraten mit größeren Durchmessern produzieren zu können. Die Aixtron Anlage verfügt über die weltweit größte kommerziell verfügbare Reaktorkapazität im Bereich der SiC CVD – natürlich hat das die Entscheidungsfindung sehr erleichtert. Als die maßgebende Technologie im Markt ist die AIX 2800G4 WW für die Produktion qualifiziert – das bedeutet eine sehr kurze Produkteinführungszeit", berichtet Dr. Jeffrey B. Casady, CTO und Vice President Business Development, SemiSouth Laboratories.

Die Anlage stehe auch für qualitativ hochwertige, homogene Epitaxieschichten mit niedriger Defektdichte und hohen Fertigungsausbeuten, so Dr. Casady abschließend.

SemiSouth Laboratories ist ein im Jahr 2000 gegründetes Unternehmen der Halbleiterbranche mit außerbörslichem Beteiligungskapital. Wichtige strategische Investoren sind die Firma Power Integrations (NASDAQ:POWI) sowie die Venture Capital-Sparte von Schneider Electric (PINK:SBGSF). SemiSouth hält rund 30 Patente auf dem Gebiet der Hochleistungstransistoren auf Siliziumkarbid – ein Bereich der an Bedeutung zunimmt.

Mit 1200 V- und 1700 V-Transistoren, Hochspannungsdioden und Leistungsmodulen bietet das Unternehmen hocheffiziente Leistungsumwandlung und Power Management Lösungen für Anwendungen zwischen 3- bis 100-kW. Weitere Produkte befinden sich in Entwicklung, die Anwendungen bis zu 1 MW unterstützen können.
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JFETs, Junction Field Effect transistors = Sperrschicht-Feldtransistoren

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