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Elektronikproduktion | 09 Februar 2011

SemiSouth bestellt Aixtron SiC Planetary Reactor

Aixtron Kunde SemiSouth Laboratories of Starkville in MS, USA erhält eine neue Siliziumkarbid (SiC) CVD-Anlage, eine AIX 2800G4 WW mit einer Waferkapazität von 10x100 sowie 6x150 mm.
SemiSouth wird damit SiC-Hochleistungskomponenten wie JFETs und Schottky-Barrieren f√ľr die Mikroelektronik herstellen.

Das Unternehmen platzierte die Bestellung im vierten Quartal 2010. Nach der Auslieferung im zweiten Quartal 2011 wird ein Service Team von Aixtron die Anlage im modernen Reinraum am Hauptsitz von SemiSouth in Starkville in Betrieb nehmen.

‚ÄěNach fast sieben Jahren Praxiserfahrung mit SiC-Anlagen von Aixtron kennen wir die Technologie bis ins Detail. Wir m√ľssen unsere Kapazit√§ten f√ľr Hochleistungsbauelemente steigern und haben dringenden Bedarf, auf Substraten mit gr√∂√üeren Durchmessern produzieren zu k√∂nnen. Die Aixtron Anlage verf√ľgt √ľber die weltweit gr√∂√üte kommerziell verf√ľgbare Reaktorkapazit√§t im Bereich der SiC CVD ‚Äď nat√ľrlich hat das die Entscheidungsfindung sehr erleichtert. Als die ma√ügebende Technologie im Markt ist die AIX 2800G4 WW f√ľr die Produktion qualifiziert ‚Äď das bedeutet eine sehr kurze Produkteinf√ľhrungszeit", berichtet Dr. Jeffrey B. Casady, CTO und Vice President Business Development, SemiSouth Laboratories.

Die Anlage stehe auch f√ľr qualitativ hochwertige, homogene Epitaxieschichten mit niedriger Defektdichte und hohen Fertigungsausbeuten, so Dr. Casady abschlie√üend.

SemiSouth Laboratories ist ein im Jahr 2000 gegr√ľndetes Unternehmen der Halbleiterbranche mit au√üerb√∂rslichem Beteiligungskapital. Wichtige strategische Investoren sind die Firma Power Integrations (NASDAQ:POWI) sowie die Venture Capital-Sparte von Schneider Electric (PINK:SBGSF). SemiSouth h√§lt rund 30 Patente auf dem Gebiet der Hochleistungstransistoren auf Siliziumkarbid ‚Äď ein Bereich der an Bedeutung zunimmt.

Mit 1200 V- und 1700 V-Transistoren, Hochspannungsdioden und Leistungsmodulen bietet das Unternehmen hocheffiziente Leistungsumwandlung und Power Management L√∂sungen f√ľr Anwendungen zwischen 3- bis 100-kW. Weitere Produkte befinden sich in Entwicklung, die Anwendungen bis zu 1 MW unterst√ľtzen k√∂nnen.
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JFETs, Junction Field Effect transistors = Sperrschicht-Feldtransistoren
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