Epistar erreicht Produktivitätsziel mit neuer Aixtron-Anlage

„Aixtron hatte hoch gesteckte Entwicklungsziele für die neue Anlagen-Generation bei Unterzeichnung unserer Kooperationsvereinbarung", sagt Epistar-Vorstand Dr. Ming-Jiunn Jou. „Sie sind in einem bemerkenswerten Tempo umgesetzt worden. Mit den jetzt erreichten Homogenitätsgraden sind wir zuversichtlich, unseren Produktionsertrag mit diesem MOCVD-Reaktor erheblich steigern zu können." Aixtrons neue Anlagen-Generation AIX G5 HT erreicht Depositionsraten von über 6 µm/h mit exzellenter GaN/InGaN-Homogenität bei einem Reaktordruck höher 600 mbar, ohne Ausheizen der Beschichtungskammer und ohne Austauschen der Teile, heisst es in einer Mitteilung. Gerd Strauch, Vice President Corporate Product Design & Engineering, leitet beim Anlagenbauer Aixtron die Planetary Reactor-Entwicklung: „In der Tat bin ich sehr zufrieden mit den schnellen Fortschritten bei Epistar. Sie zeigen, dass wir mit dem zielorientierten Design der neuen Reaktorkammer, unserer innovativen CFD-Modellierung und der Anlagenqualifizierung in unserem Labor gute Arbeit geleistet haben. Es ist uns gelungen, die Epitaxiequalität aus unserem Labor 1:1 auf die Epistar-Anlage zu übertragen." MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung CFD, Computational Fluid Dynamics = Numerische Strömungsmechanik