High Power Opto erwirbt Aixtron MOCVD-Anlage für LED-Produktion

Sie wird im ersten Quartal 2009 in den hochmodernen Produktionsstätten des Unternehmens in Taiwan in Betrieb gehen und für die Massenproduktion von ultrahellen (UHB) LEDs auf Galliumnitridbasis (GaN) genutzt. K.H. Huang, Taiwans Pionier der LED-Industrie und Vorsitzender von HPO, kommentiert: „Diese neue AIXTRON-Anlage ist sehr wichtig für unsere strategische Planung. Dank der AIXTRON 2600G3 Planetenreaktor-Anlage gehören wir bereits heute zu den Produzenten der ultrahellen roten LEDs auf AlGaInP-Basis. Bei der Produktion von blau-grünen ultrahellen LEDs auf Galliumnitridbasis möchten wir ähnlich erfolgreich sein. Die neue AIX 2800G4 HT MOCVD-Anlage bildet die Grundlage für unseren geplanten Wechsel vom bisherigen Zukauf von GaN-Wafern hin zur Produktion dieser Bauteile im eigenen Hause.” ----- MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung UHB LEDs, Ultra High Brightness Light Emitting Diodes = ultrahelle Leuchtdioden