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Toshiba führt 100V n-Kanal Leistungs-MOSFETs ein
Toshiba Electronics Europe hat mit dem Versand von zwei neuen 100 V Bausteinen seiner Niederspannungsserie von U-MOS IX-H n-Kanal Leistungs-MOSFETs begonnen. Die neuen Bausteine sind ideal geeignet für Stromversorgungsanwendungen in industriellen Geräten sowie Motorsteuerungen.
Das ist eine Produktankündigung von Toshiba Electronics Europe. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Sie werden mit dem neuesten Niederspannungs-Trench-Prozess (U-MOS IX-H) von Toshiba hergestellt. Die MOSFETs TPH3R70APL und TPN1200APL bieten den niedrigsten Durchlasswiderstand von 3,7 m Ω bzw. 11,5 m Ω ihrer Klasse. Die Bausteine verfügen über eine niedrige Ausgangsladung (QOSS: 74 / 24 nC) sowie eine niedrige Gate-Schaltladung (QSW: 21 / 7,5 nC) und sind für eine 4,5V Logic-Level-Ansteuerung geeignet.
Im Vergleich zu aktuellen Bausteinen, die mit dem U-MOS VIII-H Prozess hergestellt werden, verfügen die neuen Bausteine über bessere Leistungszahlen für MOSFETs für Schaltanwendungen, darunter RDS(ON)ŸQossund RDS(ON)ŸQSW.
Der TPH3R70APL ist in einem 5 mm x 6 mm SOP-Advance Gehäuse untergebracht und kann Drain-Ströme (ID) bis zu 90 A bewältigen, während der TPN1200APL in einem 3 mm x 3 mm TSON-Advance Gehäuse untergebracht ist und ID-Niveaus bis zu 40 A schaltet.
Toshiba Electronics Europe wird sein MOSFET-Portfolio gemäß Markttrends weiterentwickeln, um die Effizienz von Stromversorgungen zu verbessern.
