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© balint radu dreamstime.com Produkte | 15 Februar 2018

Toshiba führt 100V n-Kanal Leistungs-MOSFETs ein

Toshiba Electronics Europe hat mit dem Versand von zwei neuen 100 V Bausteinen seiner Niederspannungsserie von U-MOS IX-H n-Kanal Leistungs-MOSFETs begonnen. Die neuen Bausteine sind ideal geeignet f√ľr Stromversorgungsanwendungen in industriellen Ger√§ten sowie Motorsteuerungen.
Das ist eine Produktank√ľndigung von Toshiba Electronics Europe. Allein der Emittent ist f√ľr den Inhalt verantwortlich.
Sie werden mit dem neuesten Niederspannungs-Trench-Prozess (U-MOS IX-H) von Toshiba hergestellt. Die MOSFETs TPH3R70APL und TPN1200APL bieten den niedrigsten Durchlasswiderstand von 3,7 m ő© bzw. 11,5 m ő© ihrer Klasse. Die Bausteine verf√ľgen √ľber eine niedrige Ausgangsladung (QOSS: 74 / 24 nC) sowie eine niedrige Gate-Schaltladung (QSW: 21 / 7,5 nC) und sind f√ľr eine 4,5V Logic-Level-Ansteuerung geeignet.

Im Vergleich zu aktuellen Bausteinen, die mit dem U-MOS VIII-H Prozess hergestellt werden, verf√ľgen die neuen Bausteine √ľber bessere Leistungszahlen f√ľr MOSFETs f√ľr Schaltanwendungen, darunter RDS(ON)ŇłQossund RDS(ON)ŇłQSW.

Der TPH3R70APL ist in einem 5 mm x 6 mm SOP-Advance Gehäuse untergebracht und kann Drain-Ströme (ID) bis zu 90 A bewältigen, während der TPN1200APL in einem 3 mm x 3 mm TSON-Advance Gehäuse untergebracht ist und ID-Niveaus bis zu 40 A schaltet.

Toshiba Electronics Europe wird sein MOSFET-Portfolio gemäß Markttrends weiterentwickeln, um die Effizienz von Stromversorgungen zu verbessern.
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2019.01.17 14:20 V11.11.0-2