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© selenka dreamstime.com Produkte | 19 Dezember 2017

UFS-Bausteine mit 64-Layer 3D-Flash-Speicher

Toshiba Memory Europe GmbH bietet ab sofort Muster seiner UFS-Bausteine (Universal Flash Storage)[1] auf Basis des 64-Layer BiCS FLASH‚ĄĘ 3D-Flash-Speichers[2] von Toshiba Memory Corporation an.
Das ist eine Produktank√ľndigung von Toshiba Memory Europe. Allein der Emittent ist f√ľr den Inhalt verantwortlich.
Die neuen Speicher eignen sich f√ľr Anwendungen, die eine schnelle Lese-/Schreibleistung und einen geringen Stromverbrauch erfordern, darunter Mobilger√§te wie Smartphones und Tablets sowie AR-/ VR-Systeme (Augmented/Virtual Reality).

Die neue Serie wird in vier Kapazit√§ten erh√§ltlich sein: 32, 64, 128 und 256GB[3]. Alle Bausteine verf√ľgen √ľber Flash-Speicher und einen Controller in einem 11,5mm x 13mm Geh√§use entsprechend dem JEDEC-Standard. Der Controller f√ľhrt eine Fehlerkorrektur, Wear-Leveling, eine √úbersetzung logischer auf physikalische Adressen und eine Bad-Block-Verwaltung durch, was sich die Systementwicklung vereinfacht.

Alle vier Speicher entsprechen der JEDEC UFS Ver2.1, einschlie√ülich HS-GEAR3, die eine theoretische Schnittstellengeschwindigkeit von bis zu 5,8Gbit/s pro Lane (x2 Lanes = 11,6 Gbit/s) erm√∂glicht und einen h√∂heren Stromverbrauch verhindert. Die sequentielle Lese- und Schreibleistung[4] des 64GB-Bausteins betr√§gt 900 bzw. 180MB/s, w√§hrend die zuf√§llige Lese- und Schreibleistung um 200 bzw. 185% h√∂her ist als bei Speichern der vorherigen Generation[5]. Durch seine serielle Schnittstelle unterst√ľtzt UFS Vollduplex-√úbertragung, was gleichzeitiges Lesen und Schreiben zwischen dem Host-Prozessor und UFS-Baustein erm√∂glicht.

Anmerkungen:

[1] Universal Flash Storage (UFS) ist eine Produktkategorie f√ľr eine Klasse von Embedded-Speichern, die nach der UFS-Standardspezifikation der JEDEC entwickelt wurde.

[2] Muster des 64GB-Bausteins stehen ab sofort zur Verf√ľgung; die restlichen Bausteine der Serie folgen im Dezember.

[3] Die Bausteindichte wird anhand der Speicherchipdichte(n) innerhalb des Bausteins und nicht anhand der Speicherkapazit√§t f√ľr die Datenspeicherung durch den Endbenutzer ermittelt. Die vom Benutzer nutzbare Kapazit√§t ist aufgrund von Overhead-Datenbereichen, Formatierung, fehlerhaften Bl√∂cken und anderen Einschr√§nkungen geringer und kann je nach Host und Anwendung variieren. Einzelheiten finden sich in den Produktspezifikationen.

[4] Lese- und Schreibgeschwindigkeiten werden mit 1MB/s = 1.000.000 Byte/s berechnet. Die tatsächliche Lese- und Schreibgeschwindigkeit hängt vom Baustein, den Lese- und Schreibbedingungen und der Dateigröße ab.

[5] Vorgänger des 64GB-Bausteins von Toshiba Memory Corporation: THGAF4G9N4LBAIR
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