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© katarina tilholm dreamstime.com Elektronikproduktion | 13 April 2016

Forschungserfolg bei Osram Opto Semiconductors

Durch Verbesserungen in der Epitaxie konnte Osram die Lichtausbeute von wei√üen LED gegen√ľber bisherigen Produkten deutlich steigern. Bei 3000 mA/mm¬≤ betr√§gt der Vorteil ganze 7,5 Prozent.
Der gemeinhin als ‚ÄěDroop“ bekannte, unerw√ľnschte R√ľckgang der Effizienz bei einer Erh√∂hung der Stromdichte begrenzt derzeit die maximale Lichtausbeute von Indium-Gallium-Nitrid-basierten blauen und wei√üen Leuchtdioden (LED) und ist daher Gegenstand intensiver Forschungs- und Entwicklungsaktivit√§ten weltweit.

Ingenieure bei Osram Opto Semiconductors konnten diesen Effekt nun merklich reduzieren und damit die Effizienz der LED deutlich erh√∂hen. Unter Laborbedingungen wurde bei einer Stromdichte von 3 A/mm¬≤ ein typischer Lichtstrom von 740 lm in einem QFN-LED-Geh√§use (Quad Flat No Lead) nachgewiesen ‚Äď eine Verbesserung von etwa 7,5 Prozent gegen√ľber bisher typischen Werten (6200 K, Cx 0,319, Cy 0,323, Ein-Chip-Variante LDxyz). Bei niedrigeren Str√∂men von 0,35 A/mm¬≤ betr√§gt der Vorteil der optimierten LED noch etwa 4 Prozent.

‚ÄěWir haben die Epitaxie intensiv √ľberarbeitet und verbessert und konnten so den Droop-Effekt deutlich verringern“, so Dr. Alexander Frey, Projektleiter des Regensburger Hightech-Unternehmens.

Die neuen Prozesse kommen in allen auf der UX:3-Chiptechnologie basierenden LED von Osram Opto Semiconductors zum Einsatz und wirken sich somit auch auf weitere High-Power-Produkte positiv aus. Die Ergebnisse werden nun Schritt f√ľr Schritt in das bestehende Produktportfolio integriert.


© Osram
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2018.12.13 13:08 V11.10.14-2