Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
© katarina tilholm dreamstime.com Elektronikproduktion | 13 April 2016

Forschungserfolg bei Osram Opto Semiconductors

Durch Verbesserungen in der Epitaxie konnte Osram die Lichtausbeute von weißen LED gegenüber bisherigen Produkten deutlich steigern. Bei 3000 mA/mm² beträgt der Vorteil ganze 7,5 Prozent.
Der gemeinhin als „Droop“ bekannte, unerwünschte Rückgang der Effizienz bei einer Erhöhung der Stromdichte begrenzt derzeit die maximale Lichtausbeute von Indium-Gallium-Nitrid-basierten blauen und weißen Leuchtdioden (LED) und ist daher Gegenstand intensiver Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten weltweit.

Ingenieure bei Osram Opto Semiconductors konnten diesen Effekt nun merklich reduzieren und damit die Effizienz der LED deutlich erhöhen. Unter Laborbedingungen wurde bei einer Stromdichte von 3 A/mm² ein typischer Lichtstrom von 740 lm in einem QFN-LED-Gehäuse (Quad Flat No Lead) nachgewiesen – eine Verbesserung von etwa 7,5 Prozent gegenüber bisher typischen Werten (6200 K, Cx 0,319, Cy 0,323, Ein-Chip-Variante LDxyz). Bei niedrigeren Strömen von 0,35 A/mm² beträgt der Vorteil der optimierten LED noch etwa 4 Prozent.

„Wir haben die Epitaxie intensiv überarbeitet und verbessert und konnten so den Droop-Effekt deutlich verringern“, so Dr. Alexander Frey, Projektleiter des Regensburger Hightech-Unternehmens.

Die neuen Prozesse kommen in allen auf der UX:3-Chiptechnologie basierenden LED von Osram Opto Semiconductors zum Einsatz und wirken sich somit auch auf weitere High-Power-Produkte positiv aus. Die Ergebnisse werden nun Schritt für Schritt in das bestehende Produktportfolio integriert.


© Osram

Kommentare

Kritische Kommentare sind erlaubt und auch erwünscht. Diskussionen sind willkommen. Beschimpfungen, Beleidigungen und rassistische / homophobe und verletzende Äusserungen sind nicht erlaubt und werden entfernt.
Weiterführende Erläuterungen finden Sie hier.
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Weitere Nachrichten
2018.05.11 10:46 V9.5.4-2