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© anthony bolan dreamstime.com Elektronikproduktion | 13 März 2015

Osram und TU Braunschweig eröffnen Halbleiterkompetenzzentrum

Mit der Eröffnung des „epitaxy competence center ec²“ bündeln Osram Opto Semiconductors und das Institut für Halbleitertechnik der TU Braunschweig Forschung und Entwicklung.
Das Zentrum – als „Gallium Nitride Research Center“ angelegt – soll die GaN-Technologie in Deutschland voranbringen. In der Halbleitertechnologie erzeugt diese Materialkombination beispielsweise blaues Licht, das als Basis für weiße Leuchtdioden (LED) dient, kann aber auch in weiteren Anwendungsfeldern eingesetzt werden: von der Opto- über die Leistungselektronik bis hin zur Sensorik. Bereits heute können Partner im „epitaxy competence center ec²“ auf eine Forschungsplattform für GaN-Materialien und -Bauelemente zugreifen, die nahezu dem industriellen Stand der Technik entspricht. „Künftig möchten wir den Epitaxieprozess weiter ausbauen und die Infrastruktur für Nanoanalytik und Prozessierung systematisch weiterentwickeln“, erläutert Dr.-Ing. Sönke Fündling, Leiter des ec², die weiteren Pläne für das Kompetenzzentrum.

Auf GaN-Technologie basierende weiße LED sind heute beinahe überall zu finden – von Scheinwerfern über Straßenleuchten bis hin zu LED-Lampen. „Sie werden weiter Marktanteile gewinnen“, betonte Aldo Kamper, CEO von Osram Opto Semiconductors, in seiner Rede während der Eröffnungsveranstaltung. Gleichzeitig sind immer effizientere Prozesse gefragt: „Die technologische Entwicklung hin zu noch mehr Leistung und kostengünstigerer Produktion muss immer schneller gehen. Das funktioniert aber nur, wenn Industrie und Wissenschaft eng zusammenarbeiten. Zudem bündeln die Mitarbeiter solcher Zentren enorme Expertise und bilden so einen Talent Pool im Bereich Halbleitertechnik, was gerade in Deutschland als Industrienation ein wichtiger Aspekt ist“, so Aldo Kamper weiter.

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