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© Intel Komponenten | 18 April 2011

Intel & Micron mit 20nm Herstellungsprozess für NAND Flash

Intel und Micron Technology haben gemeinsam eine 20 Nanometer (nm) Technologie zur Herstellung von NAND Flash Speichern entwickelt.

Basierend auf dem neuen 20nm Herstellungsprozess kommen acht Gigabyte (GB) große Multi Level Cell (MLC) NAND Flash Speicher auf den Markt. Der neue 64 Gigabit (Gb) NAND Flash Die von Intel Micron Flash Technologies wird in 20nm Strukturgröße hergestellt. Dargestellt ist ein 64Gb, oder 8 Gigabyte (GB) Die mit einer Größe von 118mm2. © Intel Die neuen 20nm 8GB Produkte messen gerade einmal 118mm2. Verglichen mit Intels derzeitigem 25nm 8GB NAND Modell (131mm2) ermöglichen sie es somit, die Ausmaße der Hauptplatine (abhängig vom Gehäusetyp) um bis zu 40% zu verringern. Die erhebliche Verkleinerung des Flash Speichers trägt dazu bei, die Effizienz und Funktionalität von Tablets und Smartphones zu verbessern. Hersteller können den gewonnenen Raum mit einer größeren Batterie, einem breiteren Bildschirm oder einem weiteren Chip für neue Anwendungen füllen. Verfügbarkeit Prototypen der 20nm 8GB Geräte sind bereits in Produktion, die Serienfertigung beginnt voraussichtlich im zweiten Halbjahr 2011. Bis dahin wollen Intel und Micron auch erste 16 GB NAND Flash Speicher präsentieren, die dann auf der Fläche einer Briefmarke insgesamt bis zu 128 GB Speicherkapazität bieten und in eine Single Solid State Speicherlösung integriert sind.
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2019.06.17 21:26 V13.3.21-1