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Komponenten | 31 August 2006

Schneller Übergang auf 45-nm-Strukturbreiten

IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing, Infineon Technologies und Samsung Electronics haben die erste komplexe Schaltungen mit einer Strukturbreite von 45 nm realisiert und ein erstes Design-Kit fĂŒr diese Technologie entwickelt. HierfĂŒr wurde eine gemeinsam entwickelte Low-Power-Prozesstechnologie genutzt.
Durch die frĂŒhe VerfĂŒgbarkeit erster Schaltungen in Silizium und des Design-Kits können die Chip-Designer nun zĂŒgig in die 45-nm-CMOS-Prozesstechnologie einsteigen.

Die ersten funktionsfÀhigen Schaltungen in der 45-nm-Technologie wurden in der 300-mm-Fertigung von IBM in East Fishkill, New York, hergestellt, wo auch das gemeinsame Entwicklungsteam angesiedelt ist.
Der neue 45-nm-Low-Power-Prozess wird voraussichtlich bis Ende 2007 auf den 300-mm-Fertigungsanlagen von Chartered, IBM und Samsung installiert und qualifiziert sein.
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