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Komponenten | 24 August 2006

NEC stellt GaN-Verstärker für Basisstationen vor

Der neue Galliumnitrid-Leistungstransistor von NEC erreicht eine Ausgangsleistung von 400 W und wurde speziell für den Einsatz in 3G-Basisstationen entwickelt.
Der Transistor erreicht bei einer Betriebsspannung bis 45 V eine hohe Verstärkung, ohne dass zusätzliche Leistungsschaltkreise erforderlich sind, und ist somit besonders für W-CDMA-Anwendungen geeignet.
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