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Komponenten | 19 Januar 2010

X-FAB mit erstem Foundryprozess für optoelektronische Highspeed-Anwendungen

X-FAB Silicon Foundries, Analog/Mixed-Signal-Halbleiterfoundry, erweitert ihr 0,35 Mikrometer-Technologieangebot mit der ersten Foundrytechnologie, die fĂŒr Anwendungen in den Bereichen Blu-ray und optische Hochgeschwindigkeits-Datenkommunikation optimiert ist.
Der neue 0,35-Mikrometer-Prozess mit der Bezeichnung XO035 beinhaltet auch X-FAB’s einzigartiges blaues PIN-Modul. Die Integration der PIN-Diode in die weitverbreitete 0,35 Mikrometer-CMOS-Umgebung erlaubt die Entwicklung von Hochleistungsphotodetektoren. Sowohl die Empfindlichkeit – insbesondere im blauen WellenlĂ€ngenbereich – als auch die Geschwindigkeit im gesamten detektierbaren Lichtspektrum sind höher als bei X-FAB’s optischem Sensor der 0,6 Mikrometer-Technologie, was den Kunden erlaubt, ihre nĂ€chste Generation von Produkten zu entwickeln. Der sofort verfĂŒgbare XO035-Prozess eignet sich besonders fĂŒr Anwendungen, in denen hohe Empfindlichkeit und große Bandbreite entscheidend sind, wie zum Beispiel Photodetektorchips (PDICs) fĂŒr Blu-ray- und andere optische Datenspeicheranwendungen fĂŒr Sensoren in der optischen Datenkommunikation und Kameras mit großem Dynamikbereich. Grenze des physikalisch Machbaren Dazu Dr. Konrad Bach, Fellow & Manager CMOS / BiCMOS Development bei X-FAB: „Mit der neuen PIN-Diode setzt X-FAB in der Optoelektronik neue MaßstĂ€be. Diese Diode bietet die höchste Empfindlichkeit fĂŒr blaues Licht auf dem gesamten Markt, etwa 0,31 Ampere pro Watt , was dicht an der Grenze des physikalisch Möglichen liegt. In Verbindung mit der hohen Bandbreite und Rauscharmut erlaubt diese hohe Empfindlichkeit die Entwicklung von Spitzen-PDICs fĂŒr zwölffache Blu-ray-Geschwindigkeit.“ Optische Speicherlaufwerke Die Empfindlichkeit der PIN-Diode im roten und infraroten WellenlĂ€ngenbereich ist grĂ¶ĂŸer als 0,4 A/W und garantiert somit gute Leistungen fĂŒr DVDs und CDs. Die PIN-Diode ist damit gut fĂŒr kombinierte optische Speicherlaufwerke geeignet. Der modulare Ansatz bietet außerdem die fĂŒr rauscharme Anwendungen notwendigen bipolaren Transistoren. Zudem sind schnelle MOS-Transistoren fĂŒr die Signalverarbeitung der Hochgeschwindigkeits-PIN-Dioden verfĂŒgbar.
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2019.02.20 12:04 V12.2.3-1