Aixtron und Institut Lafayette unterzeichnen Zusammenarbeit

Die Installation der speziell angefertigten Anlage ist ein wichtiger Meilenstein und bedeutet für das Institut Lafayette, das auf dem internationalen Campus des Georgia Institute of Technology in Metz (Frankreich) angesiedelt ist, einen weiteren Schritt in Richtung seiner vollständigen Betriebsbereitschaft. Die neu getestete OVPD-Clusteranlage und das zuvor schon in Betrieb genommene MOCVD-System sind am Institut Lafayette die beiden zentralen Möglichkeiten zur Herstellung von Halbleitern. Sie vervollständigen den bestehenden Anlagenpark, der alle Schlüsseltechnologien für die Herstellung, Prüfung und Prototypenentwicklung opto-elektronischer Bauelemente abdeckt und in einem 500 m2 großen Reinraum untergebracht ist. Abdallah Ougazzaden, Professor am Georgia Institute of Technology und Co-Präsident des Institut Lafayette, sagt: „Wir sind sehr zufrieden mit der umfassenden Unterstützung durch AIXTRON während der Inbetriebnahme, Installation und Testphase sowohl unserer MOCVD- als auch der OVPD-Anlage. Basierend auf dieser vertrauensvollen Zusammenarbeit, sind wir äußerst zuversichtlich unsere gemeinsamen Ziele zu erreichen.“ „Wir freuen uns mit einer internationalen Forschungsinstitution wie dem Georgia Institute of Technology und dem Institut Lafayette zusammen zu arbeiten, um die Innovationen in der Optoelektronik sowie die Erforschung moderner Halbleitermaterialien mit unserer technisch führenden OVPD- und MOCVD-Produktionsanlagen zu unterstützen. Wir freuen uns auf eine lebhafte Partnerschaft zur Weiterentwicklung zukunftsorientierter und wegweisender Halbleitertechnologien“, erklärt Martin Goetzeler, Vorstandsvorsitzender der Aixtron SE.