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© aixtron Komponenten | 11 April 2016

Aixtron und Institut Lafayette unterzeichnen Zusammenarbeit

Aixtron gibt bekannt, dass am Institut Lafayette eine neue OVPD (Organic Vapor Phase Deposition)-Anlage des Unternehmens zur Herstellung von 200x200 mm-Substraten erfolgreich installiert und getestet wurde.
Die Installation der speziell angefertigten Anlage ist ein wichtiger Meilenstein und bedeutet fĂŒr das Institut Lafayette, das auf dem internationalen Campus des Georgia Institute of Technology in Metz (Frankreich) angesiedelt ist, einen weiteren Schritt in Richtung seiner vollstĂ€ndigen Betriebsbereitschaft.

Die neu getestete OVPD-Clusteranlage und das zuvor schon in Betrieb genommene MOCVD-System sind am Institut Lafayette die beiden zentralen Möglichkeiten zur Herstellung von Halbleitern. Sie vervollstĂ€ndigen den bestehenden Anlagenpark, der alle SchlĂŒsseltechnologien fĂŒr die Herstellung, PrĂŒfung und Prototypenentwicklung opto-elektronischer Bauelemente abdeckt und in einem 500 m2 großen Reinraum untergebracht ist.

Abdallah Ougazzaden, Professor am Georgia Institute of Technology und Co-PrĂ€sident des Institut Lafayette, sagt: „Wir sind sehr zufrieden mit der umfassenden UnterstĂŒtzung durch AIXTRON wĂ€hrend der Inbetriebnahme, Installation und Testphase sowohl unserer MOCVD- als auch der OVPD-Anlage. Basierend auf dieser vertrauensvollen Zusammenarbeit, sind wir Ă€ußerst zuversichtlich unsere gemeinsamen Ziele zu erreichen.“

„Wir freuen uns mit einer internationalen Forschungsinstitution wie dem Georgia Institute of Technology und dem Institut Lafayette zusammen zu arbeiten, um die Innovationen in der Optoelektronik sowie die Erforschung moderner Halbleitermaterialien mit unserer technisch fĂŒhrenden OVPD- und MOCVD-Produktionsanlagen zu unterstĂŒtzen. Wir freuen uns auf eine lebhafte Partnerschaft zur Weiterentwicklung zukunftsorientierter und wegweisender Halbleitertechnologien“, erklĂ€rt Martin Goetzeler, Vorstandsvorsitzender der Aixtron SE.
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