Neue MOSFET-Relais mit noch höherer Strombelastbarkeit

Sie eignen sich insbesondere als Ersatz für elektromechanische Relais in intelligenten Zählern (Smart Metern), in Sicherheits-, Medizintechnik- und Industrieanwendungen. Beide Hochstrom-Bausteine Omron G3VM-61GR2 und G3VM-61HR1 erreichen die Leistung vergleichbarer elektromechanischer Omron-Relais und übertreffen diejenige konkurrierender Halbleiterrelais-Alternativen. Wichtige Eigenschaften sind ihr im Vergleich zu elektromechanischen Bauelementen niedriger Durchlasswiderstand (On-Widerstand), eine geringe Störanfälligkeit für äußere magnetische Einflüsse sowie eine hohe Schaltgeschwindigkeit mit einem Ton/Toff von nur 3ms/0,5ms bei der Version GR2 und 5ms/1ms bei der Version HR1. Der Omron G3VM-61HR1 im 6-pin SOP-Gehäuse ist für High-Power-Anwendungen ausgelegt, kann Ströme von bis zu 3,3AAC bei 60V schalten und besitzt einen On-Widerstand von nur 30 mOhm. Mittels Parallelschaltung der Ausgänge (C-Schaltung) einer Doppelstromanschluss-Konfiguration für DC-Lasten kann der Baustein für DC-Lasten jedoch bis zu 6,6ADC mit einem On-Widerstand von nur acht mOhm bewältigen – eine um 43 Prozent größere Last als bei der Vorgängerversion G3VM-61HR. Der Omron G3VM-61GR2 im 4-pin SOP-Gehäuse ist für das Signalschalten digitaler und analoger Signale gedacht bei Strömen von bis zu 1,7AAC, das sind 70 Prozent mehr als der vorherige G3VM-61GR1. Der On-Widerstand beträgt 80 mOhm. Andries de Bruin, Senior European Product Marketing Manager bei Omron Electronic Components Europe, kommentiert: „Bei immer mehr Anwendungen würde man gerne MOSFET-Halbleiterrelais einsetzen. Gründe dafür sind die Widerstandsfähigkeit gegenüber magnetischen Einwirkungen und eine niedrige Anfälligkeit für Störungen der elektromagnetischen Verträglichkeit (EMV) in industriellen Umgebungen. Diese Bausteine setzen neue Maßstäbe bei der elektrischen Leistung, was sie zu einer sinnvollen Alternative zu elektromechanischen Relais in einer ganzen Reihe neuer Anwendungen macht.“