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Komponenten | 07 Februar 2012

Infineon und Fairchild erweitern Partnerschaft

Infineon Technologies und Fairchild Semiconductor erweitern Kompatibilitäts-Partnerschaft für Leistungs-MOSFETs.

Infineon Technologies und Fairchild Semiconductor erweitern ihre Kompatibilitäts-Partnerschaft auf das asymmetrische Dual MOSFET- Gehäuse Power Stage 5x6 von Infineon. Das PowerStage 5x6 ist ein SMD-Gehäuse (Surface-Mounted Device/oberflächenmontiert) ohne Anschluss-Pins (leadless). Es integriert die beiden Leistungstransistoren eines 30A Buck-Konverters in einen 5x6mm²-Gehäusegrundriss. Dies spart für das Design bis zu 85% Fläche ein. Das Gehäuse ermöglicht Schaltungsdesigns mit sehr geringer Gesamtinduktivität und einen Wirkungsgrad von bis zu 93,5%. Die im Jahre 2010 geschlossene Partnerschaft zwischen Infineon und Fairchild wird erweitert. Dies erhöht die Liefersicherheit für Kunden und ermöglicht es, Wirkungsgrad und thermisches Verhalten bei der DC/DC-Umrichtung optimal auszugestalten. Dazu bringen beide Unternehmen ihre umfassende Kompetenz bei asymmetrischen Dual-MOSFETs ein, die Stromstärken von mehr als 30A beherrschen und die Leistungsdichte erhöhen. “Fairchild und Infineon haben die Bauform standardisiert, so können wir unseren Kunden die bestmögliche Liefersicherheit für ihre hocheffizienten Designs in Computing-, Telekom- und Server-Anwendungen garantieren“, sagt Richard Kuncic, Senior Director Low Voltage Power Conversion bei Infineon Technologies. “Die Kompatibilität der Gehäuse hat das Ziel, leistungsfähige Produkte von mehreren Anbietern als Industriestandard offerieren zu können.” “Wir freuen uns, die PowerTrench-Technologie mit diesem Gehäuse ergänzen zu können”, sagt Joe Montalbo, Vice President und General Manager Consumer, Communications and Industrial, Low Voltage bei Fairchild. “Die Partnerschaft mit Infineon und die Standardisierung der Bauform verbessern diese Produktlinie und erhöhen den Nutzen für unsere Kunden”.
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