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Elektronikproduktion | 12 Oktober 2010

Erste Aixtron G5 zur Produktion blauer LEDs bei Forepi

Die Formosa Epitaxy (FOREPI) wird eine AIX G5 HT MOCVD-Anlage mit einer Waferkapazität von 56x2-Zoll zur Herstellung Galliumnitrid-basierter (GaN) ultraheller LEDs einsetzen.
Die im zweiten Quartal 2010 bestellte Anlage wird im vierten Quartal 2010 ausgeliefert und die zahlreichen bereits vorhandenen Planetary Reactor-Anlagen in Forepis moderner Produktion in Lung-Tan, Taoyuan, Taiwan ergänzen.

„Dies ist unsere erste G5 – und wir gehen davon aus, dass wir unsere bestehenden Prozesse reibungslos übertragen werden können," skizziert Dr. Fen-Ren Chien, Vorstandsvorsitzender bei Forepi. „Sobald dies gelungen ist, können wir den Kauf weiterer Produktionssysteme vornehmen."

Grund für den Kauf seien die durchgängig sehr guten Ergebnisse der bereits eingesetzten Aixtron Anlagen G4 und CRIUS gewesen. Folglich sei das Interesse an den neuen Anlagengenerationen G5 und CRIUS II entsprechend groß. Nach erfolgreichem Prozesstransfer will FOREPI alle Möglichkeiten der G5 – ausgezeichnete GaN-Depositionsraten bei einem Reaktordruck höher 600 mbar mit sehr guter GaN/InGaN-Homogenität – vollständig ausschöpfen.
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MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung
InGaN, Indiumgalliumnitrid = ein III-V-Halbleiter

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