Das in Hangzhou, China, angesiedelte Unternehmen erhält die Anlagen zwischen 4Q/2010 und 1Q/2011 und wird diese für die Massenproduktion von GaN-basierenden ultrahellen blauen und grünen LEDs einsetzen.

Jiang Zhongyong, Geschäftsführer Silan Azure, plant eine Kapazitätssteigerung für nitridbasierte LED-Wafer: "Es war naheliegend, hier die neue CRIUS II Technologie einzusetzen, die entscheidende Vorteile in Form höherer Wachstumsraten bei hohem Prozessdruck und mehr als doppelt so hoher Produktivität bietet. Ich bin sicher, dass die Anlage unsere Anforderungen auch in Bezug auf Prozesssteuerung, homogene Beschichtung, Dotierung und Schichtzusammensetzung erfüllen wird. Dank unserer guten Geschäftsbeziehungen und der schnellen Reaktionszeiten des Aixtron Teams können wir von einem optimalen Verlauf bei Installation und Betrieb der neuen CRIUS-Anlage in unserer Produktionsstätte in Hangzhou ausgehen."