Das lokale Aixtron Serviceteam wird die Anlagen im zweiten Quartal 2010 am unternehmenseigenen Forschungsinstitut ISCAS in Betrieb nehmen, die für die Herstellung GaN-basierender HB-LEDs zur Straßen- und Display-Hintergrundbeleuchtung eingesetzt werden.

Damit reagiere das Unternehmen auf die Notwendigkeit zur Kapazitätssteigerung, erklärt Geschäftsführer Dr. Wang GuoHong. „Das ISCAS-Forschungsteam ist mit der Leistungsfähigkeit der ersten Aixtron Anlage sehr zufrieden, nun gilt es, dieses Potenzial - hohe Produktivität und leichter Bedienbarkeit bei niedrigen Betriebskosten - zu verstärken."
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MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung

ISCAS, The Institute of Software, Chinese Academy of Sciences

GaN, Galliumnitrid

HB, High Brightness LEDs = Sehr helle LEDs