Das Aixtron Serviceteam in den USA wird die Anlage im ersten Halbjahr 2010 im Labor für Nanomaterialien und Elektronik installieren.

„Die Entscheidung für die Anlage haben wir aufgrund ihrer einzigartigen Fähigkeit getroffen, sowohl SiGe-Nanodrähte als auch Kohlenstoffnanoröhren homogen, schnell und reproduzierbar abzuscheiden," erläutert Professor Ali Javey, beisitzender Professor im Fachbereich Elektrotechnik und Computerwissenschaften der Universität. Die kalifornische Universität wird mit der Anlage die Möglichkeiten der Synthese von Nanodrahtfeldern für integrierte elektrische Bauteile und Sensoren im großen Maßstab erforschen.
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SiGe, Siliziumgermanium = ein IV-IV-Verbindungshalbleiter