Die Auslieferung der im zweiten Quartal erteilten Bestellung beginnt im dritten Quartal und wird sich über das Jahr 2009 erstrecken. Dieser Auftrag umfasst CRIUS Close Coupled Showerhead (CCS)-Anlagen und AIX 2800G4 HT Planetary Reactor-Anlagen zur Massenproduktion von LEDs auf Basis von Galliumnitrid (GaN).

Dr. B.J. Lee führt aus: „Wir freuen uns auf die Lieferung unserer neuesten AIXTRON Multiwafer MOCVD*-Anlage. Unsere beiden Unternehmen verbindet eine langjährige Partnerschaft und AIXTRON hat uns stets mit erstklassigen Anlagen beliefert. Unser Vertrauen in AIXTRONs Service und technologisches Know-how ist sehr groß. Beides bildet die Grundlage für unseren Erfolg in der Massenproduktion von sehr hochwertigen ultrahellen (UHB**) LEDs. Wir sind sicher, dass auch die 150. Anlage ebenso nützlich wie die allererste sein wird und wir freuen uns auch auf die Inbetriebnahme der kürzlich bestellten Anlagen in naher Zukunft."

Dr. Bernd Schulte, AIXTRONs Executive Vice President und COO, ergänzt: „Epistar ist einer der weltweit führenden Hersteller von ultrahellen LEDs. Es war eine große Freude, diese Auszeichnung zur 150. Anlage zu überreichen. Epistar hatte bereits mit unserem Anlagentyp AIX 2600G3 hellste AlInGaP-LEDs am Markt produziert und hat ebenfalls extrem leistungsstarke GaN-Produkte auf AIXTRONs Nitride Planetary Reactor-Anlagen entwickelt. Wir sind sehr stolz darauf, dass wir über die letzten Jahre einen Beitrag zu Epistars Erfolg leisten konnten."
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MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung
UHB-LEDs, Ultra High Brightness LEDs = ultrahelle Leuchtdioden