Professor Song Hang, Executive Director des Key Laboratory of Excited State Processes an der Chinese Academy of Sciences, merkt an: „Nach sorgfältiger Prüfung aller verfügbaren MOCVD-Anlagen haben wir schnell das beste System für unsere Anforderungen gefunden. Wir freuen uns auf die Arbeit an AIXTRONs Hochtemperatur-Epitaxie-Anlagen und sind uns sicher, dass sie einen enormen Beitrag zu unserer Nitridforschung liefern werden. Chinas Strategie auf dem Gebiet der hochentwickelten optoelektronischen Anwendungen zielt besonders auf die Produktion von UHB-LEDs und roten Laserdioden. Mit dieser Bestellung bei AIXTRON erweitern wir unser modernes Forschungszentrum plangemäß mit zwei MOCVD-Anlagen. Die AIXTRON AG stellt dabei durch ihr umfassendes Prozess-Know-How, ihre technischen Möglichkeiten und den hervorragenden Support eine schnelle und unkomplizierte Inbetriebnahme der neuen Anlagen sicher.“

Professor Wang Lijun, verantwortlich für die neue AllnGaP-Laserdioden-Anlage, fügt hinzu: „AIXTRONs AIX 200/4 wird unsere wichtigste Forschungsanlage und ich bin davon überzeugt, dass sie unseren Anforderungen an die Laserentwicklung bestens entspricht. Die Anlage hat herausragende neue Eigenschaften, die meiner Meinung nach, zusammen mit einigen Designverbesserungen, die Leistungsfähigkeit und Ausbeute bei AllnGaP-Schichtabscheidung optimieren werden.“

Das Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics (CIOMP) ist Teil der Chinese Academy of Sciences und wurde 1952 gegründet. Hier wurden zehn der fortschrittlichsten Technologien Chinas entwickelt – unter anderem der erste Rubin-Laser. Als Anerkennung dieses Beitrags zu Chinas wissenschaftlicher und technologischer Entwicklung wird das Institut auch „Die Wiege der chinesischen Optik“ genannt. Der zugehörige Changchun OE Industriepark wird Chinas Engagement auf dem Gebiet der Optoelektronik weiter vorantreiben, speziell in Bezug auf Wissenschaft, Forschung, Produktentwicklung und Ausbildung.
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MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung

UHB-LED; Ultra High Brightness LED = ultrahelle LED