Aixtron und Ovonyx entwickeln Depositionstechnologie

Mit Blick auf immer kleiner werdende Chipgrößen stoßen FLASH und DRAM-Speicher inzwischen an die Grenzen ihrer Skalierbarkeit. PCM gilt als geeignete Alternative für die zukünftige kommerzielle Produktion von Halbleiter-Speichern. „Aixtrons Marktposition im Bereich der Dünnfilm-Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie bietet exzellente Voraussetzungen für die kostengünstige Entwicklung von neuen Phasenwechsel-Materialien mittels AVD-Technik für die nächste Generation von PCM-Speicherbaustein-Strukturen mit hoher Dichte und geringen Abmessungen,” sagt Tyler Lowrey, President und Chief Executive Officer bei Ovonyx. „Wir freuen uns, gemeinsam mit Aixtron konforme Beschichtungsprozesse zu entwickeln, die die Kommerzialisierung von PCM-Produkten durch internationale Chiphersteller weiter vorantreiben werden.” „PCM-Speicher, die mit Hilfe konventioneller Sputter -Technik hergestellt wurden, stehen kurz vor der kommerziellen Einführung. Es ist jedoch klar, dass künftige PCM-Speicher-Generationen von der Atomic Vapor Deposition-Technologie im Hinblick auf bessere Skalierbarkeit und sinkende Produktionskosten entscheidend profitieren könnten”, sagt Dr. Bernd Schulte, Executive Vice President und Chief Operating Officer bei Aixtron. „Wir glauben, dass wir durch die Zusammenarbeit mit Ovonyx die Kommerzialisierung von Phasenwechsel-Materialien mittels AVD - Beschichtung für die Massenproduktion beschleunigen können und Chip-Herstellern eine leistungsfähige und kostengünstige Lösung anbieten können.“ Phasenwechsel-Speicher Technologie Ovonyx und sein größter Anteilseigner, Energy Conversion Devices, haben die Phasenwechsel-Speicher Technologie (Phase Change Memory, PCM) entwickelt und Pionierarbeit auf diesem Gebiet geleistet. Sie besitzen grundlegendes Know-how der Funktionsweise von PCM-Speichern, deren Bauteilen, Materialien, Verarbeitung und Design, sowie von Modellierung und Leistungsfähigkeit. Ovonyx’ PCM-Technologie verwendet einen reversiblen Phasenwechsel-Speicherprozess, der sich durch hohe Leistungsfähigkeit, dichte, array-adressierbare Halbleiter-Speicher-Technologie auszeichnet und als kostengünstiger Ersatz für FLASH und DRAM-Speicher sowie als Embedded-Anwendung – etwa als Microcontroller oder bei rekonfigurierbarer MOS-Logik – eingesetzt werden kann.