Die Anlage wird bereits im Laufe dieses Jahres ausgeliefert. Damit steigt SemiLEDs von der bisherigen 2-Zoll-Konfiguration auf die produktiveren 4 Zoll-Wafer um, mit denen deren neue Produktionslinie für ultrahelle (UHB) LEDs auf Galliumnitridbasis (GaN) bestückt ist.

Dr. Chuong Tran, Präsident der SemiLEDs Corporation, erläutert: „Die besten Ergebnisse in der Serienfertigung der von uns entwickelten, vertikalen und leistungsstarken MvpLED- GaN -Technologie haben wir mit unseren bestehenden AIXTRON Planetenreaktoren erzielt. Nun verändern wir unsere Produktionstechnologie so grundlegend, dass AIXTRONs Einsatz hierbei wieder ausschlaggebend für einen reibungslosen Wechsel sein wird. Wir gehen davon aus, dass wir mit der neuen 4 Zoll-Plattform einen deutlichen Anstieg unserer LED-Produktionsleistung und -kapazitäten erreichen werden."

SemiLEDs stellt leistungsstarke LEDs für Beleuchtungszwecke her. Das Unternehmen verwendet die so genannte „Metal Vertical Photon MvpLED"-Technologie, die u. a. auf einer speziellen Kupferlegierung basiert. Dank der Metalllegierung sowie der einzigartigen Bauelementstruktur besitzen SemiLEDs LEDs ein höheres elektrisches und thermisches Leitvermögen und zeichnen sich durch mehr Helligkeit, Leistungsfähigkeit und bessere Wärmeübertragung aus. SemiLEDs ist ein US-amerikanisches Unternehmen mit Sitz in Boise, Idaho, und Produktionsstätten in Hsinchu, Taiwan.

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MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung
UHB LEDs, Ultra High Brightness Light Emitting Diodes = ultrahelle Leuchtdioden