SÜSS MicroTec bietet CB Wafer Bonder-Serie für Advanced MEMS an

Zu den Bond-Verfahren auf Wafer-Ebene bei der Herstellung von MEMS zählen anodisches und Glass-Frit-Bonden, während bei den Advanced MEMS eutektisches, Fusions- oder Metal Diffusion-Bonden die häufigsten Herstellungsprozesse darstellen. Die Verkapselung und Prozessintegration auf Wafer-Ebene stellen bei extremen Druck- und Temperaturverhältnissen hohe Anforderungen an die Leistungsfähigkeit von Geräten. Die neue CB Wafer Bonder-Serie ist speziell auf Anwendungen für das Metal-Bonden ausgerichtet und lässt Bond-Kräfte bis 90kN und Temperaturen bis zu 600°C zu. Die präzise Kontrolle von Druck und Temperatur führt zu äußerst gleichmäßigen Bond-Ergebnissen und erlaubt damit eine signifikante Reduzierung der Die-Größe, was die Herstellungskosten von MEMS erheblich senkt. Um die für die Herstellung von Advanced MEMS erforderliche hohe Justiergenauigkeit zu erreichen, lässt sich die CB Serie mit dem BA200 Gen.2, einem hochpräzisen Justiergerät von SÜSS MicroTec ergänzen. Prozesse, die auf dem CB8, einem halbautomatischen Wafer Bonder, entwickelt wurden, können ohne weiteres auf den CBC200, einem Bond-System mit multiplen Prozesskammern, übertragen werden. Das gewährt einen problemlosen Übergang von der Herstellung von Kleinserien und Einsatz im Labor und bis hin zu Massenproduktion und damit größtmögliche Flexibilität.