STMicroelectronics, STATS ChipPAC und Infineon kooperieren
STMicroelectronics, STATS ChipPAC und Infineon Technologies haben eine Vereinbarung über die gemeinsame Entwicklung der nächsten eWLB-Generation (embedded Wafer-Level Ball Grid Array) unterzeichnet, die auf der ersten Technologiegeneration von Infineon beruht.
ST und Infineon kooperieren mit STATS ChipPAC um das volle Potenzial der bestehenden eWLB-Gehäusetechnologie von Infineon, welche von Infineon an ST und STATS ChipPAC lizenziert wurde, auszuschöpfen. Die Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten, deren Resultate allen beteiligten Firmen gleichermaßen gehören, fokussieren darauf, beide Seiten eines Wafers zu nutzen, um Lösungen für Halbleiterbausteine mit einem höheren Integrationsgrad und einer größeren Anzahl von Kontaktelementen zu bieten.
Die eWLB-Technologie nutzt eine Kombination von Frontend- und Backend-Halbleiterfertigungstechniken, wobei alle Chips auf dem Wafer parallel verarbeitet werden, was zu geringeren Fertigungskosten führt. Dies, zusammen mit dem höheren Integrationsgrad für das Silizium in dem komplett geschützten Gehäuse und der deutlich höheren Anzahl von externen Kontakten, ermöglicht Herstellern von leistungsfähigen drahtlosen und Konsumerprodukten signifikante Kosten- und Platzeinsparungen.
Die Entscheidung von ST an der Entwicklung dieser Technologie mit ihrem höheren Integrationsgrad mit Infineon zusammen zu arbeiten, ist ein wichtiger Schritt bei der Etablierung von eWLB als Industriestandard für kosteneffiziente und hoch integrierte Wafer-Level-Gehäuse. ST plant den Einsatz der Technologie in Produkten ihres ST-NXP Wireless Joint Venture und in anderen Applikationen. Erste Muster werden Ende 2008 erwartet, während die Serienproduktion für Anfang 2010 geplant ist.
Die eWLB-Technologie nutzt eine Kombination von Frontend- und Backend-Halbleiterfertigungstechniken, wobei alle Chips auf dem Wafer parallel verarbeitet werden, was zu geringeren Fertigungskosten führt. Dies, zusammen mit dem höheren Integrationsgrad für das Silizium in dem komplett geschützten Gehäuse und der deutlich höheren Anzahl von externen Kontakten, ermöglicht Herstellern von leistungsfähigen drahtlosen und Konsumerprodukten signifikante Kosten- und Platzeinsparungen.
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