Strukturen von 6 oder 5 mil (150 µm bzw. 125 µm) sind heute in der konventionellen SMD-Elektronik üblich, während 4 und 3 mil (100 µm bzw. 75 µm) nur dort eingesetzt werden, wo hochpolige Fine-Pitch-Bauteile dies erfordern. Durch die Einführung eines neuen LDI-Prozesses (Laser Direct Imaging) ist ANDUS im Juni 2008 in die 2mil-Technik eingestiegen und damit in der Lage, sogar 50 µm Leiterbreiten anzubieten.

Der Laserdirektbelichter ersetzt die bisherige UV-Film-Belichtung durch einen modulierten, deutschlandweit einmalig feinen Laserstrahl, der die gesamte Leiterplatte überstreicht. Die heutige Technik ist so weit fortgeschritten, dass die Belichtung eines Fertigungspanels innerhalb weniger Sekunden erfolgt. Damit ist die Verarbeitung schneller als bei der konventionellen Technik.

50 µm Designs werden vor allem dort benötigt, wo µBGAs oder CSPs (Chip Scale Packages) zu entflechten sind. Ein CSP mit einem 0,4mm-Raster und zweireihigen 0,25mm-Pads kann nur mit diesen feinen Strukturen vollständig entflochten werden.

Aber auch in der Sensorik sind die neuen Strukturen von Vorteil. Zum Beispiel verdoppelt sich bei 2mil Leitern die Windungszahl von Spulen gegenüber früheren 4mil-Designs. Bei anderen Anwendungen bildet das 50 µm Substrat ein Bindeglied zwischen Halbleiter-Strukturen und konventionellen Leiterplatten. Als Verbindungstechnik kommen dabei sowohl das COB-Bonden als auch die FlipChip-Technologie zum Einsatz.