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X-FAB mit erstem Foundryprozess für optoelektronische Highspeed-Anwendungen

X-FAB Silicon Foundries, Analog/Mixed-Signal-Halbleiterfoundry, erweitert ihr 0,35 Mikrometer-Technologieangebot mit der ersten Foundrytechnologie, die für Anwendungen in den Bereichen Blu-ray und optische Hochgeschwindigkeits-Datenkommunikation optimiert ist.

Der neue 0,35-Mikrometer-Prozess mit der Bezeichnung XO035 beinhaltet auch X-FAB’s einzigartiges blaues PIN-Modul. Die Integration der PIN-Diode in die weitverbreitete 0,35 Mikrometer-CMOS-Umgebung erlaubt die Entwicklung von Hochleistungsphotodetektoren. Sowohl die Empfindlichkeit – insbesondere im blauen Wellenlängenbereich – als auch die Geschwindigkeit im gesamten detektierbaren Lichtspektrum sind höher als bei X-FAB’s optischem Sensor der 0,6 Mikrometer-Technologie, was den Kunden erlaubt, ihre nächste Generation von Produkten zu entwickeln. Der sofort verfügbare XO035-Prozess eignet sich besonders für Anwendungen, in denen hohe Empfindlichkeit und große Bandbreite entscheidend sind, wie zum Beispiel Photodetektorchips (PDICs) für Blu-ray- und andere optische Datenspeicheranwendungen für Sensoren in der optischen Datenkommunikation und Kameras mit großem Dynamikbereich. Grenze des physikalisch Machbaren Dazu Dr. Konrad Bach, Fellow & Manager CMOS / BiCMOS Development bei X-FAB: „Mit der neuen PIN-Diode setzt X-FAB in der Optoelektronik neue Maßstäbe. Diese Diode bietet die höchste Empfindlichkeit für blaues Licht auf dem gesamten Markt, etwa 0,31 Ampere pro Watt , was dicht an der Grenze des physikalisch Möglichen liegt. In Verbindung mit der hohen Bandbreite und Rauscharmut erlaubt diese hohe Empfindlichkeit die Entwicklung von Spitzen-PDICs für zwölffache Blu-ray-Geschwindigkeit.“ Optische Speicherlaufwerke Die Empfindlichkeit der PIN-Diode im roten und infraroten Wellenlängenbereich ist größer als 0,4 A/W und garantiert somit gute Leistungen für DVDs und CDs. Die PIN-Diode ist damit gut für kombinierte optische Speicherlaufwerke geeignet. Der modulare Ansatz bietet außerdem die für rauscharme Anwendungen notwendigen bipolaren Transistoren. Zudem sind schnelle MOS-Transistoren für die Signalverarbeitung der Hochgeschwindigkeits-PIN-Dioden verfügbar.

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2024.04.15 11:45 V22.4.27-2
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