BASF und IBM entwickeln gemeinsam Halbleitermaterialien

Im Rahmen dieses Abkommens werden BASF und IBM gemeinsam maßgeschneiderte chemische Lösungen für das Herstellungsverfahren neuer energieeffizienter Hochleistungschips auf Basis der 32-Nanometer (nm)-Technologie entwickeln. Erwartet wird, dass sowohl die Technologie als auch die dazugehörigen Chemikalien und Materialien bereits 2010 von maßgeblichen Firmen in der Halbleiterindustrie in Nordamerika, Asien und Europa eingesetzt werden. "Wir machen einen riesigen Sprung nach vorne und stellen uns den zukünftigen Herausforderungen der Halbleiterindustrie", sagte Dr. Ralf Fink, Senior Manager BASF Electronic Materials. "Diese Zusammenarbeit wird von der führenden Prozesstechnologie der IBM und dem Fachwissen und den Innovationen der BASF im Bereich Chemikalien und Nanotechnologie profitieren", fügte er hinzu. "IBM und BASF sind überzeugt, dass dieses Projekt beiden Akteuren die Möglichkeit geben wird, ihre führende Position in der Halbleiterindustrie aufrechtzuerhalten", sagte Dr. Ronald D. Goldblatt, Ingenieur und Senior Manager bei IBM Research. "Die Chemie wird eine immer wichtigere Rolle bei der Entwicklung der IC-Produkte der nächsten Generation (32 nm) spielen. Die BASF verfügt über ein breites und interdisziplinäres Wissen, das nur ein großes Chemieunternehmen anbieten kann. Dazu kommen viele Jahre Erfahrung auf dem Gebiet von Prozesschemikalien für die Halbleiterindustrie." Die derzeit modernste Entwicklung in der Halbleitertechnologie (45 nm) wird Ende 2007 in die Produktion eingeführt. Die Weiterentwicklung hin zu Schaltkreisen mit noch kleineren Dimensionen fängt jedoch bereits jetzt schon an und stellt ganz neue Herausforderungen an Materialien und Chemikalien. Die Forschungsarbeiten für dieses Projekt sollen gemeinsam bei IBM in Yorktown Heights, N.Y., USA, und der BASF in Ludwigshafen durchgeführt werden.