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© STMicroelectronics Komponenten | 29 Mai 2017

Neue MDmesh™-MOSFETs von STMicroelectronics

Bei den neuesten MDmesh™ DK5 Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics handelt es sich um Very High-Voltage (VHV) Superjunction-Transistoren mit dem zusätzlichen Vorteil einer Fast-Recovery-Diode.
Das ist eine Produktankündigung von STMicroelectronics. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Dies hilft Designern beim Maximieren des Wirkungsgrads unterschiedlicher Leistungswandler-Topologien – darunter beispielsweise im Spannungsnulldurchgang schaltende LLC-Resonanzwandler (Zero-Voltage Switching – ZVS).

Als Superjunction-MOSFETs zeichnen sich die mit Nennspannungen von 950 V bis 1.050 V lieferbaren neuen Bausteine im Vergleich zu herkömmlichen planaren MOSFETs durch herausragende Schalt-Eigenschaften im Verbund mit einem geringeren Einschaltwiderstand (RDS(on)) und einer höheren Stromtragfähigkeit pro Flächeneinheit aus. Sie ermöglichen Designern eine Anhebung des Wirkungsgrads und (durch die Verwendung von weniger parallelgeschalteten Bauelementen) auch der Leistungsdichte von Stromversorgungen für Hochleistungs-Anwendungen wie etwa Telekommunikations- und Rechenzentrums-Server mit hohen Bus-Spannungen, industrielle Schweißgeräte, Plasmageneratoren, Hochfrequenz-Induktionsheizer und Röntgengeräte.

Mit ihrer Body-Diode, die durch eine kurze Sperrverzögerungszeit gekennzeichnet ist, ermöglichen die neuen Bausteine die Implementierung effizienterer ZVS-LLC-Resonanzwandler in Anwendungen, die nach hoher Effizienz über einen weiten Eingangsspannungsbereich verlangen. Auch andere Brückenwandler, wie zum Beispiel DC/DC-Aufwärtswandler zum Laden von Batterien, profitieren von den niedrigeren Verlusten und den verbesserten Dynamikeigenschaften dieser Bauelemente. Verglichen mit derzeit angebotenen VHF-Fast-Recovery-MOSFETs kombinieren die DK5-Bausteine von ST die für MOSFETs typischen Bestwerte in Sachen Sperrverzögerungszeit (trr), Gateladung (Qg) und RDS(on) mit den günstigen Eingangs- und Ausgangskapazitäten (COSS, CISS) eines Superjunction-Bausteins.

Mit der DK5-Familie ergänzt ST sein VHV-Superjunction-Portfolio, das Produkte mit Nennspannungen von 800 V bis 1.500 V umfasst, durch sechs neue Bausteine in den Leistungs-Gehäusen TO-247, TO-247 Long-Lead, Max247 und ISOTOP. Die Massenproduktion der Typen STWA40N95DK5, STY50N105DK5 und STW40N95DK5 hat bereits begonnen. Die Preise beginnen bei 8,85 US-Dollar (ab 1.000 Stück).

Weitere Informationen auf www.st.com/mdmeshdk5.

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2017.10.16 14:56 V8.8.6-1