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Markt |

Osram qualifiziert Aixtron Anlage für Produktion von GaN LEDs

Der Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, Aixtron SE, wurde von Osram Opto Semiconductors für die Produktion von GaN (Galliumnitrid) LEDs qualifiziert.

Dabei handelt es sich um die erste von mehreren Planetenanlagen des Typs AIX G5 C. „Wir haben uns für die AIX G5 C entschieden, weil sie hervorragend für Hochleistungsanwendungen geeignet ist. Die Anlage bietet aufgrund ihres effektiven in-situ Reinigungssystems und des Transfermoduls für den Kassettenbetrieb, das unerlässlich für eine hohe Produktionsausbeute ist, das derzeit niedrigste Fehler- und Partikelniveau. Darüber hinaus erlauben die hochentwickelten Produktionsanlagen von Aixtron eine hervorragende Wellenlängen-Homogenität, die einen geringeren Klassifizierungsaufwand zur Folge haben und daher Zukunftstechnologien mit äußerst anspruchsvollen Anforderungen an die Homogenität ermöglichen. Insgesamt bietet die AIX G5 C erstklassige Produktionsprozesse für blaue und grüne LEDs. Diese sind notwendig, um unsere hohen Qualitätsstandards in der Serienfertigung für verschiedene Beleuchtungsanwendungen zu erreichen“, erklärt Berthold Hahn, Senior Director LED Chip bei Osram Opto Semiconductors. „Wir sind sehr zufrieden, dass Osram Opto Semiconductors unsere Anlage für die Produktion qualifiziert hat und freuen uns auf die weitere Zusammenarbeit mit einem der weltweit führenden Halbleiterhersteller. Unsere AIX G5 C-Anlage unterstützt die Produktstrategie von Osram perfekt, weil sie die Herstellung von Bauelementen ermöglicht, die zukünftige Technologietrends in der Mobilität, Kommunikation und Energieeffizienz unterstützen“, so Dr. Frank Schulte, Vice President Aixtron Europe.

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2024.03.28 10:16 V22.4.20-2
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