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© business wire Komponenten | 10 Februar 2017

Toshiba und eine Fab6

Toshiba Corporation hat mit dem Bau einer neuen Halbleiter-Fertigungsanlage, die Fab 6, und eines neuen Forschungs-und Entwicklungszentrums, dem Memory R&D Center, begonnen.
Die neuen Anlagen befinden sich im Yokkaichi-Betrieb in der japanischen Präfektur Mie, dem Hauptstandort des Unternehmens für die Speicherproduktion.

Die Fab 6 ist ausschließlich für die Produktion von BiCS FLASH vorgesehen, Toshibas 3D-Flashspeicher. Wie bei der Fab 5 wird der Bau in zwei Phasen erfolgen, so dass das Investitionstempo im Hinblick auf die Markttrends optimiert werden kann. Die erste Phase soll im Sommer 2018 abgeschlossen sein. Toshiba wird die installierte Kapazität, Produktionsziele und Zeitpläne nach eingehender Untersuchung des Marktes festlegen.

Außerdem baut Toshiba das Memory R&D Center gleich neben der neuen Fab. Die Fertigstellung ist für Dezember 2017 geplant. Die Anlage wird die Entwicklung von BiCS FLASH und neuen Speichern vorantreiben.

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2017.08.13 16:10 V8.5.9-1