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© balint radu dreamstime.com Komponenten | 20 Januar 2017

n-Kanal-MOSFETs für Schalter Anwendungen mit geringstem Durchlasswiderstand

Toshiba Electronics Europe stellt zwei n-Kanal-MOSFETs für Schalteranwendungen in mobilen, batteriebetriebenen Geräten vor, die den niedrigsten Durchlasswiderstand ihrer Klasse bieten[1].
Das ist eine Produktankündigung von Toshiba Electronics Europe. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Durch die niedrigen Widerstandsverluste tragen der SSM6K513NU und SSM6K514NU zur Steigerung des Systemwirkungsgrad bei und eignen sich so insbesondere zum Einsatz in Anwendungen wo eine lange Batterielebensdauer gewünscht ist.

Auf Basis von Toshibas „U-MOS IX-H“ Trench-Prozess konnte der Durchlasswiderstand der MOSFETs reduziert werden. So beträgt der RDS(ON) beim 30V SSM6K513NU nur 6,5mΩ und beim 40V SSM6K514NU nur 8,9mΩ. Im Vergleich zu Toshibas bestehenden MOSFETs, wie dem SSM6K504NU, verringern sie die Wärmeentwicklung durch Einschaltverluste um etwa 40%.

Der SSM6K513NU und SSM6K514NU eignen sich als Schalter für elektrische Leistungen oberhalb von 10W, wie z.B. in kleinen Mobilgeräten die den USB Type-C™ und USB Power Delivery (PD) Standard unterstützen. Beide MOSFETs werden im kompakten SOT-1220-Gehäuse ausgeliefert.
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[1] Für Bausteine mit gleichen Nennwerten. Stand: 26. September 2016. Untersuchung durch Toshiba.

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2017.05.26 09:38 V8.3.0-2