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© Anvo-Systems Dresden Komponenten | 16 Juni 2015

Anvo-Systems stellt 1 Mbit Serial SPI nvSRAM mit 66 MHz vor

Anvo-Systems Dresden, ein Spezialist für nicht-flüchtige Speicherprodukte, präsentiert das serielle nvSRAM ANV32AA1W mit einer hohen Speicherkapazität von 1 Mbit.
Das ist eine Produktankündigung von Anvo-Systems Dresden. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Das nvSRAM (non-volatile SRAM) verfügt in jeder Speicherzelle über ein nicht-flüchtiges SONOS (Silizium-Oxid-Nitrid-Oxid-Silizium) Flash-Speicherelement. Die robuste, kostenoptimierte SONOS-Technologie ermöglicht die nicht-flüchtige Speicherung aller Daten bei einem unvorhersehbaren Abfall der Betriebsspannung unter einen definierten Wert in weniger als 15 ms. Der nicht-flüchtige Speicherbaustein bietet daneben die für SRAMs typischen Vorteile wie kurze Zugriffszeiten und unbegrenzte Lese- und Schreibzyklen (R/W Endurance).

Das serielle nvSRAM ANV32AA1W mit Double Memory-Architektur weist eine Organisation von 128k Worten zu je 8 Bit auf und unterstützt SPI Modes 0 und 3. Besonders hervorzuheben ist die hohe Taktrate von 66 MHz.

Eine integrierte Power Down-Funktionalität (Hibernate Mode) mit einem Standby-Strom Ihib von kleiner als 1 µA sorgt für einen geringen Stromverbrauch des Systems. Die Recovery-Zeit aus den Power Down-Modus wird mit nur 60 µs angegeben. Einzigartige Sicherheits-Features wie die prüfsummengeschützten Speicherzugriffe Secure READ und Secure WRITE sowie ein Time Monitoring sorgen für eine hohe Zuverlässigkeit des nvSRAMs.

Der Speicherbaustein kann mit 2,7 V - 3,6 V betrieben werden. Geliefert wird das Produkt wahlweise in einem 8 Pin DFN oder 16 Pin 169 mil TSSOP Gehäuse für den kommerziellen oder industriellen (-40 °C bis +85 °C) Temperaturbereich.

Das 1 Mbit nvSRAM ANV32AA1W eignet sich u.a. für Anwendungen in der Medizintechnik, Industrieautomatisierung z.B. Motorsteuerung oder Robotik, Messtechnik, Gebäudeautomatisierung und in Smart Metering-Systemen.

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