TI eröffnet 300 mm Wafer-Bumping-Anlage im Chengdu

TI gab die neue Anlage heute aus Anlass der Feierlichkeiten zur Eröffnung seines siebten Test/Assembly-Werks bekannt. TI hatte die mehr als 33.000 m² große Einrichtung im Dezember 2013 von UTAC Chengdu Ltd. erworben und hat nach erfolgter Qualifikation mittlerweile die Produktion mit der fortschrittlichen QFN-Gehäusetechnologie (Quad-Flat no-leads) aufgenommen. TI begann 2010, in Produktionsstätten in China zu investieren. Seinerzeit wurde die erste Wafer-Fab von TI in Chengdu eröffnet. Mit dem heute in Betrieb genommenen, benachbarten Test/Assembly-Werks setzt das Unternehmen seine Investitionen fort. Als nächstes wird TI seine Aktivitäten in Chengdu durch eine 300 mm Wafer-Bumping-Anlage auf seinem Gelände in der Chengdu High-tech Zone (CDHT) erweitern. „Die CDHT ist ein von dynamischer wirtschaftlicher Entwicklung geprägter Bereich in Westchina und stellt ein leistungsfähiges Umfeld für Investitionen und staatliche Dienstleistungen zur Verfügung“, sagt Kevin Ritchie, Senior Vice President der Technology & Manufacturing Group von TI. „Es freut uns, unsere 300 mm Fertigungskapazität in unserem zur Weltspitze zählenden Werk Chengdu weiter auszubauen, damit wir unseren Kunden Lieferkontinuität bieten und deren Wachstum unterstützen können.“ Das Wafer Bumping ist ein bei fortschrittlichen Gehäusetechnologien erforderlicher, vor der Endmontage ausgeführter Fertigungsprozess. Er ersetzt das Wire Bonding als Verbindungstechnik, indem der Wafer des späteren Bausteins zur Kontaktierung mit kleinen Lotkügelchen (Bumps) versehen wird. Nahezu 40 Prozent der gesamten Waferproduktion von TI erfolgen mit Bumping-Techniken. Die Prognosen für die Bruttoanlageinvestitionen von TI werden durch diese Investitionsvorhaben nicht verändert. Das Unternehmen geht somit weiter davon aus, dass seine Bruttoanlageinvestitionen etwa vier Prozent vom Umsatz betragen werden.