Toshiba erweitert seine kompakte SMD Low-Voltage MOSFET-Familie

Toshiba Electronics Europe (TEE) bietet seine hocheffizienten Low-Voltage MOSFETs nun auch im kompakten DSOP-Advance-Gehäuse an. Die neuen Gehäuse bieten doppelseitige Kühlung und verbessern die Wärmeabgabe. In Anwendungen mit hoher Bauteildichte lässt sich damit die Temperatur der Leiterplatte verringern und die Leistungsfähigkeit erhöhen, ohne dabei den Platzbedarf der Leiterplatte erhöhen zu müssen. Das neue Gehäuse weist die gleiche Stellfläche wie ein SOP-Advance-Baustein auf (5mm x 6mm). In Vergleichstests konnte die Betriebstemperatur – zusammen mit einem geeigneten Kühlkörper – für 30V-MOSFETs bei Strömen von über 30A um mehr als 34% verringert werden. In einigen Designs kann der geringere Wärmewiderstand des DSOP-Advance-Gehäuses sogar den Kühlkörper erübrigen. Toshiba wird das neue Gehäuse für seine bestehenden UMOS VIII-H und seine neuen UMOS IX-H MOSFETs anbieten. Diese Bausteine bieten einen niedrigen Durchlasswiderstand (RDS(ON)) und eine geringe Ausgangskapazität, um effiziente Schaltleistung zu garantieren. DSOP-Advance-Gehäuse stehen vorerst für MOSFETs mit den Nennspannungen 30 und 100V zur Verfügung. Zu den Einsatzbereichen der neuen DSOP Advance MOSFETs zählen Hochleistungs-Schaltanwendungen wie die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen für Server und Telekommunikationssysteme sowie Elektrowerkzeuge.