© alexander podshivalov dreamstime.com Komponenten | 15 Juli 2014

IDT und eSilicon entwickeln nächste Generation von RapidIO-Switches

Zusammenarbeit beschleunigt die Entwicklung der dritten Generation von RapidIO-Switches und erweitert das RapidIO-Ecosystem
Das ist eine Produktankündigung von Integrated Device Technology. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Integrated Device Technology, Inc.und eSilicon Corporation kündigen eine Zusammenarbeit zur Entwicklung der nächsten Generation von RapidIO® Switches an, um die steigenden Leistungsanforderungen neuer Systemarchitekturen für Wireless-, Embedded- und Computing-Infrastrukturen zu erfüllen. Beide Unternehmen werden gemeinsam die Forschung und Entwicklung für RapidIO-Switches mit 40 GBit/s pro Port auf Basis der RapidIO 10xN-Spezifikation vorantreiben.

Switches, die im Rahmen dieses Programms entwickelt werden, ermöglichen Herstellern zukünftiger Mobilfunk-Basisstationen, Cloud RANs (Radio Access Network), Mobile-Edge Computing und anderer kommender Carrier-Netzwerke, der zunehmenden Datenmenge und Nutzung tragbarer Geräte gerecht zu werden. „Vom Design zur Umsetzung und zur Serienfertigung wird diese F&E-Zusammenarbeit eine neue Generation von RapidIO-Produkten hervorbringen, mit denen sich die Forderungen nach Basisstationen mit höheren Kapazitäten und Bandbreiten sowie anderen Carrier-Plattformen erfüllen lassen“, erklärte Jack Harding, CEO bei eSilicon. „Unser Know-how bei der 28-nm-Implementierung, einschließlich Highspeed-SerDes und kundenspezifischen Speicherdesigns, ergänzt sich hervorragend mit IDTs Erfahrung bei RapidIO-Designs.“

Die RapidIO 10xN-Switches werden eine optimale Kombination aus niedriger Latenz (100 ns), 40 GBit/s Bandbreite pro Port und Skalierbarkeit von mehr als 4 Milliarden Knoten in einem Netzwerk bieten. Die Bausteine werden eine neue Generation von Basisstationen bedienen, wie z.B. LTE-Advanced (LTE-A),
C-RAN und 5G, kommen aber auch in zukünftigen Architekturen wie Basisstationen zum Einsatz, die zusammen mit HPC-Plattformen (High-Performance Computing) verwendet werden.

IDTs derzeitige Switches mit 20 GBit/s pro Port sind der Defacto-Interconnect-Standard für das Zusammenwirken von DSPs, Mikroprozessoren und ASICs in bestehenden 3G- und 4G-Basisstationen weltweit. Die Zusammenarbeit beider Unternehmen baut auf das dieses Switch- und Bridge-Angebot auf, und die ersten gemeinsam entwickelten Produkte sollen im zweiten Halbjahr 2015 zur Verfügung stehen.

„Fortschritte bei der Datenanbindungstechnik sind entscheidend für die Weiterentwicklung der Kommunikationsinfrastruktur“, so Gregory Waters, CEO bei IDT. „Unsere bestehenden RapidIO-Switches werden in nahezu jede 4G-Basisstation weltweit verbaut. Nun steht die nächste Generation von Basisstationen und C-RAN in den Startlöchern und fordert eine höhere Leistung als je zuvor. Zusammen mit eSilicon sind wir in der Lage, die RapidIO-Entwicklung zu beschleunigen – und das zum Vorteil unserer Kunden und des gesamten Kommunikationsmarktes.“

„Die Zusammenarbeit zwischen IDT und eSilicon ermöglicht RapidIO-Technologie bis 40 GBit/s pro Port und darüber hinaus bis zu 100 GBit/s“, so Rick O’Connor, Executive Director bei RapidIO.org. „Sie ist daher ein wichtiger Schritt nach vorn und hilft dem wachsenden RapidIO-Ecosystem. Es gibt keinen Zweifel, dass diese Zusammenarbeit von den Entwicklern hochleistungsfähiger Rechenanwendungen begrüßt wird, da diese immer mehr Bandbreite und Kapazität benötigen. Dies beschleunigt die Umsetzung von RapidIO 10xN-Technologie durch Prozessor-, DSP- und FPGA-Partnerhersteller im RapidIO-Ecosystem.“

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2017.08.22 10:36 V8.6.0-2