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AMD und IBM berichten über 45-Nanometer-Prozess
Während des 2006 International Electron Devices Meeting (IEDM 2006) in San Francisco haben AMD und IBM weitere Details ihrer gemeinsam entwickelten 45-Nanometer-Fertigungstechnik bekannt gegeben. Diese soll ab Mitte 2008 zum Großserien-Einsatz kommen.
Im Gegensatz zu Intel wollen AMD und IBM mit die Immersions-Lithografie einsetzen. Als "Ultra-Low-k"- Dielektrikum wird Organosilikatglas (SiCOH-OSG) verwendet, das einen relativen Dielektrizitätskoeffizienten von 2,4 erreichen soll. Dieses Dielektrikum wird mittels einer Plasma-unterstützten Abscheidetechnik (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD) im Back-End-Of-The-Line- (BEOL-)Prozess der Chipfertigung erzeugt und soll sehr gut verträglich mit dem Gehäusematerial sein.