Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Komponenten | 14 Dezember 2006

AMD und IBM berichten über 45-Nanometer-Prozess

Während des 2006 International Electron Devices Meeting (IEDM 2006) in San Francisco haben AMD und IBM weitere Details ihrer gemeinsam entwickelten 45-Nanometer-Fertigungstechnik bekannt gegeben. Diese soll ab Mitte 2008 zum Großserien-Einsatz kommen.
Im Gegensatz zu Intel wollen AMD und IBM mit die Immersions-Lithografie einsetzen. Als "Ultra-Low-k"- Dielektrikum wird Organosilikatglas (SiCOH-OSG) verwendet, das einen relativen Dielektrizitätskoeffizienten von 2,4 erreichen soll. Dieses Dielektrikum wird mittels einer Plasma-unterstützten Abscheidetechnik (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD) im Back-End-Of-The-Line- (BEOL-)Prozess der Chipfertigung erzeugt und soll sehr gut verträglich mit dem Gehäusematerial sein.

Kommentare

Kritische Kommentare sind erlaubt und auch erwünscht. Diskussionen sind willkommen. Beschimpfungen, Beleidigungen und rassistische / homophobe und verletzende Äusserungen sind nicht erlaubt und werden entfernt.
Weiterführende Erläuterungen finden Sie hier.
Weitere Nachrichten
2017.12.13 22:15 V8.9.2-1