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Komponenten | 13 Dezember 2006

MRAM-Speicher bieten viele Vorteile

Magneto-resistive Random Access Memory (MRAM) ist eine revolutionäre Speichertechnologie, die zukünftig viele der aktuellen Halbleiter-Speichertechnologien ersetzen kann. MRAM kombiniert die Geschwindigkeit von eSRAM und die Nichtflüchtigkeit von Flash-Speichern auf einem einzigen Chip.
Statt einer elektrischen Ladung nutzt MRAM magnetische Polarisation, um die binäre Information 0 oder 1 eines Speicher-Bits zu definieren. Somit kann eine einzige Speicherlösung mehrere Speicheroptionen auf einem Chip ersetzen und ermöglicht so schnellere und kostengünstigere Lösungen für speicherintensive Next-Generation-Produkte.
MRAM ist eine nichtflüchtige Speichertechnologie, bei der alle gespeicherten Daten auch bei Spannungsverlust erhalten bleiben, und eine regelmäßige Aktualisierung nicht mehr nötig ist.
Spoerle bietet mit dem MR2A16A von Freescale nun den ersten kommerziell erhältlichen MRAM-Baustein in Serienfertigung an. Der Speicherbaustein basiert auf magnetischen Werkstoffen, die mit herkömmlichen Siliziumschaltungen kombiniert werden. Auf diese Weise lässt sich auf nur einem Chip ein Baustein realisieren, der so schnell ist wie SRAMs und gleichzeitig die Nichtflüchtigkeit von Flash-Speichern besitzt. Die zu einem Standard-SRAM kompatible Pinanordnung gewährleistet maximale Flexibilität in der Entwicklung und vermeidet Buskonflikte. Der MRAM eignet sich für unterschiedlichste Anwendungen und ist eine zuverlässige und wirtschaftliche Single-Chip-Alternative zu SRAMs mit Batteriepuffern.

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2017.10.16 14:56 V8.8.6-2